รายละเอียดโครงการวิจัย

 
 
: หน้าหลัก --> วิจัย --> รายละเอียด --> รายละเอียดงานวิจัย

เรื่อง :
  การศึกษาสมบัติทางแสงของโครงสร้างนาโนของสารประกอบกึ่งตัวนำที่มีพลวงเป็นส่วนประกอบหลัก
ผู้ทำวิจัย :
หัวหน้าโครงการ: สุวิทย์ กิระวิทยา   [100.00%] [ 180,000 บาท ตามสัดส่วน ]


สถานะการทำวิจัย :
 เสร็จสิ้น
สถานะทางการเงิน :
 เบิกเงินงวดที่ 3
ประเภทของการวิจัย :
 ประยุกต์
แหล่งเงินทุน :
 งบประมาณรายได้ 180,000 บาท
ระยะเวลา :
 1 เมษายน 2558 - 31 มีนาคม 2559

ผลงานวิจัยเผยแพร่ ประเภทวารสาร

ที่ ชื่อ ชื่อบทความ ชื่อวารสาร Vol Issue Page Impact factor หมายเหตุ
1 Kamonchanok Khoklang,Suwit Kiravittaya, Maetee Kunrugsa, Patchareewan Prongjit,Supachok Thainoi,Somchai Ratanathammaphan,Somsak Panykeow. Molecular beam epitaxial growth of GaSb quantum dots on(0.01) GaAs substrate with inGaAs insertion layer  Journal of Crystal Growth 291-294 1.693/2015    
1 Saichon Sriphan,Suwit Kirawittaya,Supachok Thainoi and Somsak Panyakeow
Effects of Temperature on I-V Characteristics of InAs/GaAs Quantum Dot Solar Cells  Advanced Materials Research 1103 129-135 /2015    

ผลงานวิจัยเผยแพร่ ประเภทนำเสนอในที่ประชุมวิชาการ

ที่ ชื่อ ชื่อบทความ ชื่อการประชุม ปี สถานที่จัด หมายเหตุ
1 สุวิทย์ กิระวิทยา
Electrical Characteristics of LEDs for Visible Light Communication   การประชุมวิชาการทางวิศวกรรมไฟฟ้า ครั้งที่ 38   2015 ม.หอการค้าไทย   
1 สุวิทย์ กิระวิทยา
ไพศาล มุณีสว่าง
การต่อภาพถ่ายเอกซเรย์เซอร์กิตเบรกเกอร์กำลังแรงดันสูงด้วยวิธีการประมวลผลภาพดิจิทัล( X-ray Image Stitching of High-Voltage Circuit Breaker by Digital Image Processing)  การประชุมวิชาการทางวิศวกรรมไฟฟ้า ครั้งที่ 38  2015 ม.หอการค้าไทย   
1 สุวิทย์ กิระวิทยา
ผลกระทบของจำนวนโฟตอนที่สูงเกินไปต่อระบบสื่อสารทางแสงเชิงควอนตัม  การประชุมวิชาการทางวิศวกรรมไฟฟ้า ครั้งที่ 38  2015 ม.หอการค้าไทย   
1 สุวิทย์ กิระวิทยา
Virtual Acceleration of Sensor Response by a Prediction Model: A Case Study on pH Sensor  International Conference on Embedded Systems and Intelligent Technology  2015 พิษณุโลก ประเทศไทย   
1 สุวิทย์ กิระวิทยา
In-mole-fraction of InGaAs insertion layers effects on the structural and optical properties of GaSb quantum dots grown on (100) GaAs substrate  Electrical Engineering/Electronics, Computer, Telecommunications and Information Technology (ECTI-CON), 2015 12th International Conference on  2015 Hua Hin   
1 Supachok Thainoi,Suwit Kiravittaya, Thanavorn Poempool, Zon, Suwat Sopitpan, Songphol Kanjanachuchai, Somchai Ratanathammaphan, Somsak Panyakeow. Growth of Truncated Pyramidal InSb Nanostructures on GaAs Substrate   Journal of Crystal Growth 468 737-739 1.4620/2015    
1 Suwit Kiravittaya, Kamonchanok Khoklang, Supachok Thainoi, Somsak Panyakeow and Somchai Ratanathammaphan. In-mole-fraction of InGaAs Insertion Layers Effects on the Structural and Optical Properties of GaSb Quantum Dots Grown on(001) GaAs Substrate  The ECTI TRANSACTIONS ON COMPUTER AND INFORMATION TECHNOLOGY (ECTI-CIT) 10 2 129-135 0.024/2015    
1 Phisut Narabadeesuphakorn, Jirayu Supasil, Supachok Thainoi, Aniwat Tandaechanurat,Suwit Kiravittaya,Noppadon Nuntawong,Suwat Sopitopan,Songphol Kanjanachuchai,Somchai Ratanathammaphan and Somsak Pinyakeow Growth control of Twin InSb/GaAs Nano-Stripes by Molecular Beam Epitaxy  MRS Advances 2 51 2943 /-543    
1 Phisut Narabadeesuphakorn, Supachok Thainoi, Aniwat Tandaechanurat, Suwit Kiravittaya, Noppadon Nuntawong, Suwat Sopitopan, Visittapong Yordsri, Chanchana Thanachayanont, Songphol Kanjanachuchai, Somchai Ratanathammaphan, and Somsak Panyakeow Twin InSb/GaAs quantum nano-stripes: Growth optimization and related properties  Journal of Crystal Growth 487 40-44 /2018    
blank